STM32F303VBT6

Mô tả sản phẩm:
•Dòng STM32F303xB/STM32F303xC dựa trên lõi RISC 32-bit Arm® Cortex®-M4 hiệu suất cao với FPU hoạt động ở tần số lên đến 72 MHz và nhúng một đơn vị dấu phẩy động (FPU), một đơn vị bảo vệ bộ nhớ ( MPU) và một macrocell theo dõi nhúng (ETM). Dòng sản phẩm này kết hợp các bộ nhớ nhúng tốc độ cao (bộ nhớ Flash lên đến 256 Kbyte, SRAM lên đến 40 Kbyte) và một loạt các I/O nâng cao và thiết bị ngoại vi được kết nối với hai bus APB.
•Các thiết bị này cung cấp tối đa bốn ADC 12 bit nhanh (5 Msps), bảy bộ so sánh, bốn bộ khuếch đại hoạt động, tối đa hai kênh DAC, RTC công suất thấp, tối đa năm bộ hẹn giờ 16 bit đa năng, một mục đích chung. Bộ hẹn giờ 32 bit và hai bộ hẹn giờ dành riêng cho điều khiển động cơ. Chúng cũng có các giao diện truyền thông tiêu chuẩn và nâng cao: tối đa hai I2C, tối đa ba SPI (hai SPI là với I2S song công hoàn toàn được ghép kênh), ba USART, tối đa hai UART, CAN và USB. Để đạt được độ chính xác của lớp âm thanh, các thiết bị ngoại vi I2S có thể được tạo xung thông qua PLL bên ngoài.
•Dòng STM32F303xB/STM32F303xC hoạt động trong dải nhiệt độ -40 đến +85 °C và -40 đến +105°C với nguồn điện 2,0 đến 3,6 V. Một bộ chế độ tiết kiệm năng lượng toàn diện cho phép thiết kế các ứng dụng sử dụng ít năng lượng.
•Dòng STM32F303xB/STM32F303xC cung cấp các thiết bị trong bốn gói khác nhau, từ 48 chân đến 100 chân.
Thông số kỹ thuật:
•Lõi: CPU 32-bit Arm® Cortex®-M4 với FPU (tối đa 72 MHz), phép nhân một chu kỳ và phép chia HW, 90 DMIPS (từ CCM), lệnh DSP và MPU (đơn vị bảo vệ bộ nhớ)
•Điều kiện hoạt động:
Dải điện áp VDD, VDDA: 2.0 V đến 3.6 V
•Memories
-128 đến 256 Kbyte bộ nhớ Flash
-Lên đến 40 Kbyte SRAM, với kiểm tra chẵn lẻ HW được triển khai trên 16 Kbyte đầu tiên.
-Tăng cường định kỳ: 8 Kbyte SRAM trên bus dữ liệu và lệnh, với kiểm tra chẵn lẻ CTNH (CCM)
•Đơn vị tính CRC
•Đặt lại và quản lý cung cấp
-Đặt lại bật/tắt nguồn (POR/PDR)
-Máy dò điện áp có thể lập trình (PVD)
-Chế độ năng lượng thấp: Ngủ, Dừng và Chờ
-Cung cấp VBAT cho RTC và các thanh ghi dự phòng
•Quản lý Clock
-Bộ tạo dao động tinh thể 4 đến 32 MHz
-Bộ tạo dao động 32 kHz cho RTC có hiệu chuẩn
-RC 8 MHz bên trong với tùy chọn x 16 PLL
-Bộ tạo dao động 40 kHz bên trong
•Up to 87 fast I/Os
-Tất cả có thể ánh xạ trên các vectơ ngắt ngoài
-Một số 5 V-chịu
•Bộ điều khiển DMA 12 kênh
•Bốn ADC 0,20 μS (tối đa 39 kênh) với độ phân giải có thể lựa chọn là 12/10/8/6 bit, dải chuyển đổi 0 đến 3,6 V, đầu vào một đầu/vi sai, nguồn cung cấp tương tự riêng biệt từ 2 đến 3,6 V
•Hai kênh DAC 12 bit với nguồn cung cấp tương tự từ 2,4 đến 3,6 V
•Bảy bộ so sánh tương tự từ đường ray đến đường ray nhanh với nguồn cung cấp tương tự từ 2 đến 3,6V
•Bốn bộ khuếch đại hoạt động có thể được sử dụng ở chế độ PGA, tất cả các thiết bị đầu cuối có thể truy cập bằng nguồn cung cấp tương tự từ 2,4 đến 3,6 V
•Lên đến 24 kênh cảm biến điện dung hỗ trợ phím cảm ứng, cảm biến cảm ứng tuyến tính và xoay
•Lên đến 13 timers
-Một bộ định thời 32 bit và hai bộ định thời 16 bit với tối đa 4 IC/OC/PWM hoặc bộ đếm xung và đầu vào bộ mã hóa bậc hai (tăng dần)
-Hai bộ hẹn giờ điều khiển nâng cao 6 kênh 16-bit
Datasheet: STM32F303VBT6.pdf