Transistor BJT NPN MMBT3904 là một linh kiện bán dẫn hai cực (Bipolar Junction Transistor) thuộc loại NPN, được thiết kế để sử dụng trong các ứng dụng chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu mục đích chung. Với vỏ đóng gói SOT23 nhỏ gọn, MMBT3904 là lựa chọn lý tưởng cho các mạch điện tử có không gian hạn chế, chẳng hạn như thiết bị di động, mạch điều khiển nhỏ và các ứng dụng tự động hóa.
MMBT3904 nổi bật với điện áp đánh thủng Collector-Emitter (Vce) lên đến 40V và dòng Collector tối đa 200mA, cho phép nó xử lý nhiều tác vụ từ chuyển mạch các tải nhỏ đến khuếch đại tín hiệu tần số thấp và trung bình. Đặc tính hFE (hệ số khuếch đại dòng một chiều) ổn định ở các mức dòng khác nhau, đảm bảo hiệu suất đáng tin cậy.
Nhờ kích thước nhỏ, hiệu suất đáng tin cậy và chi phí hiệu quả, MMBT3904 được sử dụng rộng rãi trong các mạch điều khiển đèn LED, trình điều khiển relay, bộ đệm tín hiệu, bộ khuếch đại âm thanh tiền khuếch đại, và nhiều ứng dụng khác yêu cầu linh kiện chuyển mạch hoặc khuếch đại đa năng. Để tìm hiểu thêm hoặc đặt hàng sản phẩm, bạn có thể tham khảo BJT MMBT3904 40V 200mA NPN SOT23.
Các thông số kỹ thuật chính của Transistor BJT MMBT3904:
- Loại Transistor: BJT (Bipolar Junction Transistor)
- Cực tính: NPN
- Điện áp Collector-Emitter (Vce): 40V (tối đa)
- Điện áp Collector-Base (Vcb): 60V (tối đa)
- Điện áp Emitter-Base (Veb): 6V (tối đa)
- Dòng Collector liên tục (Ic): 200mA (tối đa)
- Tổng công suất tiêu tán (Pd): 350mW (tối đa)
- Hệ số khuếch đại dòng một chiều (hFE):
- Min: 100 @ Ic = 10mA, Vce = 1V
- Max: 300 @ Ic = 10mA, Vce = 1V
- Tần số chuyển đổi (fT): 300MHz (điển hình)
- Nhiệt độ hoạt động: -55°C đến +150°C
- Kiểu đóng gói: SOT23
Sản phẩm tương tự
